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SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発

トランジスタ効率の指標である通電時の抵抗を大幅に低減

  • 分野:研究・技術・産学連携
  • 地域:全国 
  • 実施機関:産業技術総合研究所

実施機関からのお知らせ

富士電機、住友電気工業、トヨタ自動車、東芝、三菱電機との共同研究で、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1.2kV耐電圧(耐圧)クラスの縦型スーパージャンクション(SJ)MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成しました。また、開発したSJ-MOSFETは、実使用上重要な高温特性や動特性に優れていることを実証しました。成果の詳細は、IEDM 2018にて12月3日に発表されました。

掲載日:2018.12.06

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